مدلسازی ترانزیستور لیزری بر پایه نانوساختارهای نیتریدی

در سالهای اخیر مواد نیتریدی کاربردهای بسیار ارزنده ای در صنعت الکترونیک? اپتوالکترونیک?صنایع نظامی و... پیدا کرده اند. از این میان? ساختارهای نامتجانس نیتریدی بخصوص بسیار مورد توجه بوده اند. از خواص مواد نیتریدی بخصوص که چاه های کوانتومی آنها مورد توجه در این پایان نامه می باشد، می توان به بزرگ بودن و مستقیم بودن گاف انرژی ?رسانندگی حرارتی خوب و سرعت اشباع الکترونی بالا اشاره کرد که این خواص باعث مزیت هایی چون ولتاژ شکست بالا? ایجاد نویز کمتر ? پایداری حرارتی خوب و کاربرد در دماهای بالا می گردد. ما در این پایان نامه بعد از معرفی ترانزیستورهای لیزری ، با استفاده از روش تفاضلات متناهی به عنوان روش حل عددی دقیق، و در نظر گرفتن اثرات قطبش خود به خودی و پیزو الکتریک برای ساختار مورد بحث ، کمیت های میکروسکوپیک مورد نیاز برای مدلسازی ترانزیستورهای لیزری را به دست آوردیم. در قسمت نهایی این پایان نامه حالت پایا و حالت گذرا بدون در نظر گرفتن تاثیرات بیس و همچنین با در نظر گرفتن تاثیرات بیس را تحلیل کردیم . و سپس مدولاسیون فرکانس بالای ترانزیستور لیزری در تقریب سیگنال کوچک را بررسی کردیم .